|
Issue Browser

Volume 3, Issue 4, Apr 1982

    CONTENTS

  • 硅(111)面2×1重构表面和硅(100)面的电子态密度的模型计算

    傅卓式

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 259

    Abstract PDF

    本文采用一种简单的模型,应用传递矩阵的格林函数方法,计算了Si(111)2×1重构表面以及Si(100)面的电子态密度.计算结果表明,在合理地作出一些假定后,本文和其它比较繁复的计算方法所得到的结果,在定性上是符合的.

  • 硅单晶中孪生界面的结构和缺陷

    许顺生, 杨传铮, 姜小龙

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 270

    Abstract PDF

    用X射线衍射貌相术研究了硅单晶中孪生界面区域的结构和缺陷.观察表明,除存在由完整的同一原子平面组成的孪生界面外,我们还发现存在位错和/或层错的不完整的孪生界面,经测定其中的位错是 b=1/6<112>的 Shockley 不全位错,而层错矢量垂直于孪生面,R=±1/3<111>.除描述台阶状孪生界面结构外,我们还提出一种孪生-层错模型,并借以解释所观察到的一些实验现象.

  • 在掺Si GaAs单晶中Ga小晶面生长区的界区结构状态的研究

    蒋四南

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 277

    Abstract PDF

    利用X射线技术研究了掺Si GaAs单晶的 Ga 小晶面生长区 (S区)和非小晶面生长区(N区)的界区结构状态.在同一锭条中,分别切取(100)、(011)和(111)三个晶片.对每个晶片摄取不同衍射矢量的形貌相.实验观测到S、N区有一条明显的交界区.在界区呈现(hkl)和((h|-)(k|-)(l|-))的衍射强度互补.研究结果表明:在S、N交界区存在晶格弯曲.弯曲晶面接近(111)面并使(220)晶面的取向变化最大.

  • 氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅退火行为的研究

    王正元, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 282

    Abstract PDF

    通过电阻率及霍尔系数的测量,定出了分别在氢气和氩气中区熔生长的中子嬗变掺杂硅单晶经不同温度退火后的电学参数.发现在350—600℃退火温度范围内,二者的退火行为明显不同.指出这是由于在氢气中区熔生长的NTD硅中形成了“氢-缺陷络合物”施主所致.测得其激活能为:450℃退火后是(26±1)meV;500℃退火后是双能级——(26±1)meV 和(37±1)meV.

  • Pb_(1-x)Sn_xTe闭管汽相输运过程的研究

    袁诗鑫, 谢钦熙, 司承才, 于梅芳

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 290

    Abstract PDF

    用称量法可以迅速地测出Pb_(1-x)Sn_xTe闭管系统中水平汽相输运速度.研究了残余气体,例如过量的碲、铅及氧与氮的剩余气体对输运速度的影响.表明升华型材料的输运过程在温差小于 30℃时,输运速度没有出现饱和情况.我们建立了升华型物质的输运速度的关系式.充入已知量的氮气,根据输运速度的数据可以算出氮与Pb_(1-x)Sn_xTe的互扩散系数为0.013cm~2/sec.

  • 氢对氢化无定形硅能隙的影响

    陈治明, 陈廷杰, 孔光临, 林兰英

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 297

    Abstract PDF

    测量了多种淀积条件下的a-Si:H样品的吸收边和光致发光光谱及其在退火过程中的变化;结合这些样品的红外吸收测量,证明这种材料两带尾间的赝隙宽度随氢化程度的加剧而与迁移率隙一致展宽,退氢化使之一致变窄,并使无规网络中悬键增生,产生导带尾下1.20eV处的深施主态,导致相应的缺陷发光.

  • 热氧化二氧化硅层中氟离子的注入及其分布

    徐至中, 梁励芬

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 304

    Abstract PDF

    本文采用电晕放电技术对硅片的热氧化层注入了氟离子.并通过逐次剥层用椭偏测厚仪测量了剥层后的氧化层厚度,用高频c-v法测量了剥层后的平带电压,从而求得平带电压与氧化层厚度间的关系.并由此求得氧化层中电荷的分布情况.测量结果表明:氟离子注入后,在SiO_2/Si界面处的正电荷面密度比注入前有所增加,在氧化层体内存在有均匀分布的负电荷密度,在靠近SiO_2外表面约100(A|°)左右的区域内,负电荷密度由内向外逐渐增加,在外表面处具有最大的负电荷密度.最后,把我们的结果与Williams的结果进行了比较,并进行了讨论.

  • GaAlAs/GaAs DH激光器的自脉动特性

    赵礼庆, 王启明, 张存善, 吴振球

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 312

    Abstract PDF

    本文对 L-I特性曲线扭折的 GaAlAs/GaAs DH激光器光输出中自脉动振荡现象,进行了时间分辨光谱,瞬态近场分布的测试.根据实验结果,用有源区Al含量不均匀分布而产生不同发射波长的双光丝的模型,定性地解释了自脉动振荡的现象.

  • 长基区晶体管的磁敏感效应

    黄得星

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 319

    Abstract PDF

    当n~+-i-n~+型晶体管的基区宽度大于载流子扩散长度时,在磁场中它的集电极电流具有很高的磁灵敏度.本文从输运基区载流子连续方程式出发导出了载流子在磁场中的分布,从而导出了集电极电流、电流增益α和β随磁场变化的关系式,并建立了磁灵敏度公式.本文将理论同锗长基区滋晶体管的实验曲线和数据进行了比较,其结果表明理论和实验曲线基本相符合.

  • GaAs化学汽相淀积的热力学分析——Ga/AsCl_3/H_2/IG系统

    陆大成

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 329

    Abstract PDF

    本文对 Ga/AsCl_3/H_2/IG系统进行了热力学计算,计算中考虑了旁路气体的注入和源区反应的不完全性.用流动效率和反应效率可以描述源区反应的不完全性.计算结果揭示了惰性气体-氢气混合载气系统生长的一般特性.

  • 硅(111)晶片外延时图形微畸变的研究

    陈明琪, 杨传铮, 王广福

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 337

    Abstract PDF

    介绍了向{100}和向最近的{110}偏离2~4°的赝(111)晶片外延图形微畸变的研究结果.当参考面为(100)时,图形平行于参考边[112]安排,若晶片向(110)或(001)偏离2~4°,则垂直于参考边的线条明显变宽,当晶片向(011)或(101)偏离2~4°,图形畸变最小.

  • 扩硼Si在连续CO_2激光辐照后的特性

    李元恒, 张玉峰, 吴书祥, 杜永昌

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(4): 340

    Abstract PDF

    本文研究了高温高浓度扩硼Si在连续CO_2激光辐照后表面薄层电阻随激光功率密度和扫描速度的变化.实验发现,一定功率密度和扫描速度的CO_2激光辐照可使扩硼Si的载流子面密度提高到原来的一倍半到三倍左右.

Search

Advanced Search >>

XML 地图 | Sitemap 地图