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Volume 3, Issue 1, Jan 1982

    CONTENTS

  • GaAs-Al_(0.3)Ga_(0.7)As DH激光器近场光谱的研究

    张敬明, 郑宝真

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 1

    Abstract PDF

    本文从近场光谱、分谱近场分布、分谱L-I特性和分区L-I特性等实验证明有源区Al不均匀引起L-I特性的非线性扭拆和光谱的多组纵模,并且解释了实验观察到的模式竞争和光脉动等现象.

  • 液相外延生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构的俄歇电子能谱

    余金中, 鞠静丽, 石志文, 马国荣, 刘福源, 王维明

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 8

    Abstract PDF

    采用俄歇电子能谱仪(AES)对液相外延生长的GaAs-AlxGa_(1-x)As异质结构进行了研究.结果表明,在异质结界面处,有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,该层的厚度依赖于溶液的饱和度.还对样品表面的沾污情况进行了观测.

  • 双异质结(DH)激光器-光纤高效耦合

    周汝生, 朱柏生, 张伦

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 15

    Abstract PDF

    用非子午面光线追迹法,对单芯锥、套层锥以及双芯锥光纤和DH激光器的耦合效率,双芯锥的分光比做了数值计算.实验中有的耦合效率可达92%以上,光纤输出功率11.4mW.并做了双芯锥耦合的前向分光激光器样管.

  • 用椭圆偏振光谱法研究溅射无定形硅的光学性质

    陈树光, 叶贤京, 莫党

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 23

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    利用椭圆偏振光谱仪测定了无定形硅在可见光范围的光学常数.对不同工艺条件下由射频溅射制备的无定形硅样品进行测量,获得了n-λ、k-λ关系的数据,并由此计算出光学能隙、介电常数和反射率.文中还比较和讨论了本实验结果与别人用反射率法测得的蒸发制备无定形硅的结果.

  • 金属-n型GaAs界面物理特性研究

    陈克铭, 王良臣, 王佑祥

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 31

    Abstract PDF

    利用I-V法和C-V法对由电镀形成的,和经不同温度热处理的(Ni/n-GaAs,Ni-Pd/n-GaAs,Pd/n-GaAs)肖特基结的主要物理参数进行了测量;并应用最小二乘回归法,编排了计算机程序,通过计算获得了比较精确的有关参数;同时还用俄歇电子能谱观察了这些样品中的金属与GaAs各组分的深度分布,及其不同深度下俄歇电子谱.研究结果表明,我们所采用的工艺能获得近理想的肖特基势垒,适当温度的热处理可进一步改善肖特基二极管性能.如果热处理高于这个适当的温度范围,则导致镓和砷的外扩散,二极管的性能也就明显劣化.

  • 用MOS电容瞬态电流-电容法直接测定少数载流子的体产生寿命分布和表面产生速度

    孙勤生

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 45

    Abstract PDF

    本文提出了一种灵敏方便的MOS电容瞬态电流-电容法,即I-C法,应用它可直接从MOS电容相关的瞬态电流I-t和瞬态电容C-t曲线方便地测定出耗尽层中少数载流子的体产生寿命分布τ_g(x_d)和表面产生速度S_g等参数.文中导出和分析了MOS结构较普遍的瞬态电荷、电流和电容方程,以及界面态密度N_(ss)(E_s)、寿命τ_g(x_d)和(τ|-)_g(x_d)、S_g的计算公式.从τ_g分布的测定结果可见,MOS结构中在约3μm宽的界面层内,从体内向界面τ_g明显下降.

  • MOS结构的软X射线辐射损伤

    郑有炓, 吴凤美

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 55

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    本文报道了MOS结构受软X射线辐照的辐射损伤的研究结果.指出,软X射线辐照将引起了 SiO_2层中正电荷及SiO_2-Si界面界面态密度的增加,而且在SiO_2体内形成电子陷阱和中性陷阱.文中还报道了辐射损伤的退火结果.

  • 背散射和核反应技术用于氮化硅薄膜分析

    承焕生, 徐志伟, 赵国庆, 周筑颖, 任月华, 王季陶

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 62

    Abstract PDF

    本文介绍了用背散射和核反应技术分析用LPCVD 方法制备的氮化硅薄膜的方法及其结果.本方法包括用背散射和沟道效应相结合的方法直接测量薄膜的氮、硅组分比例及其随深度的变化.该方法的特点是定量、非破坏性.分析结果表明:用LPCVD方法生长的氮化硅膜,氮与硅的组分比例与四氮化三硅相符合,组分比的深度分布均匀.上述方法与椭圆偏振测厚仪相结合还可以求得薄膜的密度。 本方法可用来分析半导体材料上生长的任何其它介质薄膜. 氮化硅薄膜中的氧含量是影响薄膜性质的另一个参数.用核反应~(16)O(d,p)~(17)O测量了用LPCVD方法制备的氮化硅薄膜中的氧含量.结果表明:薄膜中的氧含量为1.5%(相对于薄膜中的氮原子数).用核反应~(16)O(d,p)~(17)O分析氮化硅薄膜中氧含量的灵敏度在0.3%左右(相对于薄膜中的氮原子数).

  • ECL1024字×1位随机有储器

    张敏, 杨华丽, 罗杏珍, 余北梁, 陈明琪, 郑应杨

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 68

    Abstract PDF

    研制成功的 ECL 1024字 ×1位随机存储器的地址取数时间为 20ns、功耗 500mW、芯片面积 11.4mm~2.它是高速电子计算机不可缺少的关键性器件.采用 4μm设计原则以及薄外延层、浅结、漂发射区和双层金属有线等工艺。本文报道了设计、工艺以及性能特点.

  • 硅中离子注入层光学常数的振荡分布

    钱佑华, 陈良尧, 张继昌

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 76

    Abstract PDF

    <正> 椭圆偏光法结合阳极氧化剥层技术,测量得到磷注入硅临界剂量附近样品表层的表观光学常数n|~=n-ik,出现一个振荡型的深度分布.在关于离子注入层无序分布的公认结论的基础上,建立了k(x),n(x)同无序度分布D(x)之间的经验关系式,从而从定量上解释了n|~(x)的振荡.

  • 关于“P~+注入硅损伤层的椭圆偏振术研究”一文的讨论

    莫党

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 80

    Abstract PDF

    <正> 贵刊第2卷第2期刊登了钱佑华等的论文“P~(+)注入硅损伤层的椭圆偏振术研究”.这工作及近年来我国的一些工作,采用椭圆偏振术对离子注入进行了研究.这些研究中,对实验结果的解释和分析,出现不同的看法和模型.我在这里对[1]文提出一些讨论意见,希望有助于工作的深入.

  • 第五届国际气相生长和外延会议和美国第五届晶体生长会议简讯

    彭瑞伍, 林耀望

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 82

    Abstract PDF

    <正> 今年7月 19日-24日在美国召开了第五届国际气相生长和外延会议美国第五届晶体生长会议.会议交流了体单晶和薄膜生长的实验和理论研究,其中着重交流了各国在半导体材料,如硅、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物的晶体生长理论,工艺和特性等方面的研究情况. 参加会议的代表来自十六个国家,共400多人,我国有四人参加.会议上宣读的论文

  • 第四次国际窄禁带半导体物理会议

    普霖

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 83

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    <正> 第四次国际窄禁带半导体物理会议于1981年 9月 14日至17日在奥地利的林茨市举行.这次会议是在“纯粹与应用物理国际联合会(IUPAP)”、“欧洲物理协会(EPS)”、“奥地利物理协会(O|¨PG)等组织的资助和支持下召开的.参加会议的有西德、美、波、法、日、英、苏等18个国家的二百四十多名代表.奥地利J.Kepler大学教务长 H.Heinrich教授担任主席.

  • 1982年半导体国际会议消息

    徐朋泰, 梁荫熹

    Chin. J. Semicond.  1982, 3(1): 84

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    <正> (1)第六次集成和波导光学会议 (Sixth Topical Meeting on Integrated and Guided-Wave Optics) 会议定于1982年1月 6日-8日在美国加州举行.会议由 IEEE和美国光学学会共同组织举办.会议内容有:①电介波导现象②材料与制造技术③无源波导器件④有源

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