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Volume 2, Issue 3, Mar 1981

    CONTENTS

  • 用深能级瞬态谱及瞬态电容研究靠近禁带中央能级的新方法

    秦国刚, 张玉峰, 杜永昌, 吴书祥, 张丽珠, 陈开茅

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 169

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    半导体中的深能级杂质缺陷在禁带中往往有好几个能级,如果其中有接近禁带中央的能级,它在载流子复合等问题中起重要作用.本文指出利用接近禁带中央的能级在深能级瞬态谱(DLTS)中的峰高与其它能级的峰高的比值或利用相应的瞬态电容的初始值的比值,可以求出接近禁带中央的那个能级的电子热发射率与空穴热发射率的比值C_n(T)/e_p(T),结合DLTS的率窗或瞬态电容的时间常数,可以同时确定该能级的e_n(T)及c_p(T),并可进而求出该能级在禁带中的位置、禁带宽度在绝对零度的外插值等参数.以掺金的硅为例应用上述方法,在较高的温度范围用DLTS,在较低的温度范围用瞬态电容,求得了金的受主能级的c_n(T)/c_p(T).c_n(T)、c_p(T)及其它参数,与文献所载的用其它方法求出的相近.文中还讨论了这种方法的误差以及这种方法在识别杂质缺陷方面的可能作用.

  • 亚微米砷化镓气相双层外延与高阻缓冲层

    王永晨, 朱毅敏

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 182

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    文中叙述了 6 Gc、12Gc GaAs FET所需双层外延材料的制备工艺,获得了 3—5μm厚高阻缓冲层及 0.2—0.3 μm厚,浓度 1.0—1.5 ×10~。(17)/cm~3,迁移率 4500-4870 cm~2/V·scc的有源层.列出了有无缓冲层的电学数据.材料用于制作FET,在6G_c下噪声系数2.8dB,增益7-9 dB,在 12GC下噪声 3.5 dB增益 4.0 dB. 文中还提出了采用含有AsOCl的AsCl_3来制备高阻缓冲层,文末进行了简短的讨论.

  • GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的深能级荧光

    王守武, 王仲明, 许继宗

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 189

    Abstract PDF

    测量了垂直于结平面各空间位置的荧光光谱和某些特定波长的空间分布.实验结果表明在 n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层和 P-GaAs有源层都存在着峰值波长为 1.03 μm和 1.09μm的深能级辐射.这些辐射在热处理和小电流密度老化下有着不同的行为. 另外在N-Ga_(1-x)Al_xAs层的荧光谱中还可以看到一个波长比有源区带到带的辐射还短的辐射.可以认为这是由于在N-P异质界面存在着电子势垒从而导致在N-Ga(1-x)AlxAs层中导带的非平衡电子与在Sn深受主能级上的非平衡空穴复合产生的辐射.

  • 半导体激光器传输特性的理论分析

    单永政, 杜宝勋

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 197

    Abstract PDF

    本文从古典控制理论出发,对半导体激光器的传输特性进行了理论分析.在小信号的情况下,将半导体激光器视为线性孤立系统.把描述其物理过程的速率方程线性化,借用网络理论,得到表征其传输特性的四种传输函数;根据传输函数,得出其对光电输入信号的响应特性和相应的等效网络;依据传输函数和等效网络,对半导本激光器的传输特性进行了分析和综合.

  • 质子轰击条形InGaAsP/InP双异质结激光器

    朱龙德, 张盛廉, 汪孝杰, 王莉, 高淑芬

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 212

    Abstract PDF

    用液相外延方法生长了InGaAsP/InP四层双异质结,采用了镀金石英玻璃炉和水平滑动式石墨舟.研究了外延生长界面平直晶体质量好的InGaAsP/InP和InP/InGaAsP异质结的工艺细节.测量了异质结晶格失配度,确定了异质结匹配生长条件。研究了在InP液相外延中锌和碲的掺杂规律,分析了掺锌工艺对p-n结的位置、结的注入效率和其它结特性的影响.制作了质子轰击条形InGaAsP/InP DH激光器.在室温(300K)连续激射波长为1.30-1.33μm.室温宽接触激光器的阈电流密度为2000A/cm~2,规一化阈电流密度为5kA/cm~2·μ.测量了阈电流随温度的变化,在80—285K范围内特征温度T_o=79-108K,室温附近T_o=63-73K.选择两只激光器作了长期工作实验,其中一只寿命为560小时,另一只已经工作2500 小时,现仍在继续工作中.

  • 正向势垒电容的异常变化及其在参放变容管中的应用

    江关辉

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 222

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    在对P~+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P~+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和较大的变化幅度.把该模型应用于结电容为 0.08—0.25 pF的 GaAs参放变容管,结果表明,它提高了变容管的电容变化系数,并具有较高的零偏压截止频率,而且还降低了参放所需的泵功率.得到的样管参数为:零偏压截止频率400—700千兆赫、电容变化系数0.17-0.225,参放工作所需的泵功率仅10-20毫瓦.

  • 脉冲电子束退火装置及其对注砷硅的退火结果

    伊藤纠次, 饶德祥, 田村英男, 大久保靖

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 234

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    <正> 目前,离子注入技术虽已相当广泛地用于半导体器件的科研和生产中,然而离子注入造成的晶格损伤的恢复和注入杂质的高效率激活方法却还留下一些有待研究的课题.其中,脉冲电子束退火就是当前颇受重视的方法之一.

  • 用热激电流法测定硅-二氧化硅的界面态

    盛篪

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 240

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    用热激电流法测量了MOS及MNOS界面态.所测得的界面态密度分布与用准静态法测得的结果有不同之处在于:界面态密度在近带边时是减小的.这是由于界面态俘获截面在带边处急剧下降的关系,热激电流法测不到这部分界面态.在P型衬底MOS中在价带上 0.3 eV处有一分立能级,禁带中央处密度很小.部分n型样品在多次测量后产生一个新的能级,位置在导带下0.4eV处.有些n型样品在高反偏压下出现新的分立能级;有一批样品,其分立能级的激活能随偏压变化.这些能级可能与氧化层缺陷有关.

  • Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光

    于鲲, 孟庆惠, 李永康, 吴灵犀, 陈廷杰, 徐寿定

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 243

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    <正> 砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.

  • 四面体键无定形半导体国际会议简讯

    陈坤基

    Chin. J. Semicond.  1981, 2(3): 247

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    <正> 今年3月 12-14日在美国Arizona州召开了关于四面体键无定形半导体国际讨论会.来自美、日、德、法、加等各国的160余名代表参加了会议,共有报告70余篇.会议集中研讨了无定形硅薄膜材料的制备和结构特点,以及无定形硅中载流子的特性.

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