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Volume 1, Issue 4, Apr 1980

    CONTENTS

  • 用赝势法计算四元合金In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的能带

    陆奋, 张开明

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 257

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    本文的目的是用赝势法研究In_(1-x) Ga_x As_y P_(1-y)的能隙与x和y的函数关系以及它的能带结构.四元合金的赝势参量以二元化合物的赝势参量为边界值由非线性内插公式决定.为了使所得能隙与实验值符合得更好,我们所用的二元化合物的经验的赝势参量与Cohen和Bergstresser所给的值稍有修正.四元合金的晶格常数由线性内插决定.这样所得的计算结果与实验值符合较好.

  • 混晶的长波长光学声子谱

    吴汲安

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 267

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    利用Born-Huang(黄昆)方程来描写等位移模型能够计算混晶AB_(1-x)Cx的长波长光学声子频率.近邻离子间力常数F_(AB)(x)和F(AC)(x)随组分的变化以近邻离子间反幂型排斥势假定来估算.模型的其它参数完全由混晶的组元的宏观参数所确定.不带任何可调参数,计算了几种混晶系的TO模频和LO模频的组分依赖关系,并与实验结果作了比较.本文考虑了Lorentz Lorenz场的作用,至少部分消除了许多作者指出的用通常等位移模型处理结果次邻互作用过大的不合理现象.

  • 掺Te-GaAs单晶中微缺陷的透射电镜研究

    范缇文, 何宏家, 白玉珂, 费雪英

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 274

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    木文主要是利用透射电子显微镜对重掺Te GaAs的微缺陷作了观察,已发现此材料中有五类结构缺陷.用衬度分析技术鉴别层错缺陷属于非本征型的.

  • 硅中硼扩散运动对氧化层错的影响

    鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 280

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    本文讨论了硼在硅中的扩散运动对氧化层错生长和收缩动力学的影响.一方面,硼的扩散运动降低氧化层错的激活能,使层错的生长速度增加;另一方面,却又抑制层错的产生和促使层错消失,使氧化层错的密度减小.在推填子扩散模型中,硼原子的扩散增强了过剩硅间隙原子的扩散,从而促进了层错的生长;而硼扩散引入的失配位错,在生长过程中抑制了某些层错的产生;在退火过程中又促使某些层错断裂和消失,从而降低了层错的密度.

  • 用反射光谱鉴定蓝宝石(或尖晶石)衬底上外延硅膜

    半导体光学性质小组

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 286

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    本文提出了一种鉴定蓝宝石(或尖晶石)衬底上外延硅膜质量的方法.用一个F因子表征硅膜特性.该因子以吸收系数为表式并从反射光谱算出.对实验结果进行了讨论.

  • 变截面场效应管

    朱恩均

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 292

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    本文提出了一种具有渐变沟道“截面”(电导率)的新型场效应管.在通常的场效应管中,高频电流通过沟道时将因沟道电阻及其侧面电容的 R C效应而衰减,但是在一只 GaAs变截面场效应管中,当控制沟道场强使得其中的电子微分迁移率取负值时,高频电流振幅将沿着沟道递增,从而得出一种三端负阻放大器,其极限频率是很高的.

  • 双极性功率晶体管稳定热斑出现过程的研究

    高光渤

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 298

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    本文实验研究了双极性功率晶体管稳定热斑的出现过程,以及金属化种类,收集结偏压对这种过程的影响,在结温与电流非均匀分布的前提下,对产生这种过程的原因做了初步的探讨.

  • LSI CAD制版中的图形转换

    庄文君, 李全圣, 沈永周

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 304

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    在LSI的 CAD制版中,由于自动制版设备的要求,常常需要将二相邻边夹角为π/2或3π/2的任意封闭图形分割成N个矩形.反之,由自动绘图仪,自动刻图机等的要求,需要求相关矩形集组成的图的包络线.本文讨论并提出了解决上述问题的简捷方法.

  • 注Z_n~+-GaAs的激光退火及GaAs欧姆接触的激光合金化

    弓继书, 郑宝真, 庄蔚华, 徐仲英

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 311

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    本文研究了激光退火使离子注Zn的GaAs层获得高的表面浓度作P~+层.所用的调Q红宝石激光器能量密度1~1.5J/cm~2、脉宽20ns.霍尔测量得到的表面空穴浓度达3.3 × 10~(19)-8.7 ×10~(20)/cm~3,红外等离子共振极小测量结果与之相符.电子衍射实验观察到注入无定形层经激光退火后再结晶的单晶衍射花样. 另外,也报道了用激光合金化在N型和P型体GaAs材料上制备欧姆接触的结果,所得到的比接触电阻比通常热合金化的比接触电阻略低,其表面形貌也比热合金化的好.

  • 极性晶体中慢激子极化电势的性质

    顾世洧

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 318

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    <正> 本文是作者对极性晶体中慢激子极化电势的讨论推广到电子和空穴质量不相等的情形.对激子声子系的哈密顿

  • LPE-GaAs中残留杂质的研究

    林兰英, 方兆强, 周伯骏, 朱素珍, 向贤碧, 吴让元

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 319

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    <正> 众所周知,在氢气氛中进行LPE-GaAs生长时,对镓溶液作长时间的热处理,以便排除氧沾污是提高外延层纯度的重要工艺措施.但是我们发现,随着镓溶液处理温度的提高,外延层的电子浓度会逐渐下降,然后转为Ⅰ型材料(见图1),存在着一个型号转变

  • 集成肖特基逻辑(ISL)

    杨大炎, 许平

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 322

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    <正> 荷兰 Philips于 1978年在 C~3L的基础上提出了集成肖特基逻辑.我们于 1979年7月研制的ISL器件结构如图1,其等效线路如图2.

  • BCCD的一维模型及其数值分析,

    崔成烈

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 325

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    <正> 一、引 言 由于埋沟电荷耦合器件(BCCD)具有高速、高传输效率、低噪声等优点而受到人们的重视.国际上已有人对BCCD的模型进行了研究.其中McKenna假定埋层完全耗尽和杂质分布均匀的情况下,求出一维的电势分布.但没有考虑信号电荷.Kent曾考虑过信号电荷,但由于假定埋层中杂质分布是线生的,因而不可能给出解析解.Lees则

  • 大规模集成电路测试图案产生方法的研究,

    林雨

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 329

    Abstract PDF

    <正> 一、引 言 大规模集成电路测试设备的核心是测试图案发生器.为发展我国大规模集成电路的测试设备,我们对于测试图案的产生方法进行了研究,提出了几点看法并用于研制大规模集成电路设备的实践.与北京无线电仪器厂合作研制了:

  • 各种光致抗蚀剂的无显影刻蚀特性,

    无显影光刻协作组

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 333

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    <正> 继A抗蚀剂成功地实现无显影光刻之后,为了进一步扩大该技术的实用范围,并了解其它光刻胶是否同样存在这种效应,我们对不同的光刻胶(包括正性胶和负性胶)进行了研究.通过大量实验发现,在一定条件下它们都具有无显影刻蚀效应.有趣的是负性胶

  • 扫描电子束无显影光刻技术,

    孙毓平, 韩阶平, 梁俊厚, 葛璜, 梁久春

    Chin. J. Semicond.  1980, 1(4): 335

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    <正> 扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一,并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点.但是电子束光刻过程,

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